Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor, стр.3

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDPF51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	410 руб. ×	от 15 шт. — 351 руб.
FDPF5N50UT, Транзистор N-MOSFET 500В 4А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	180 руб. ×	от 15 шт. — 140 руб.
FDS4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/8.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.2 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	130 руб. ×	от 50 шт. — 108 руб.
FDS4897C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 40В 6.2А/-4.4А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.2/4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6.2А, 10В/0.046 при 4.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 21/12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	240 руб. ×	от 25 шт. — 210 руб.
FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А [SOIC-8-0.154] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9.5 Ом/12.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	130 руб. ×	от 5 шт. — 106 руб.
FDS8880, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 11.6А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/11.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	69 руб. ×	от 25 шт. — 60 руб.
FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/7А, 10В/0.052 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11/19 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	220 руб. ×	от 25 шт. — 186 руб.
FDS8958B, Транзистор PowerTrench N/P-каналs 30В 6.4/-4.5А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.4/4.5 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	120 руб. ×	от 25 шт. — 91 руб.
FDS9435A, Транзистор, PowerTrench, P-канал, 30В 5.3А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/5.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	73 руб. ×	от 25 шт. — 65 руб.
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	88 руб. ×	от 25 шт. — 74 руб.
FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	1 100 руб. ×	от 15 шт. — 1 050 руб.
FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В, 4 В [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/35А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Крутизна характеристики, S: 48 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	600 руб. ×	от 15 шт. — 598 руб.
FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	620 руб. ×	от 15 шт. — 556 руб.
FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	250 руб. ×	от 15 шт. — 240 руб.
FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/7.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	98 руб. ×	от 15 шт. — 73 руб.
FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.47 Ом/5.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Корпус: to-220	быстрый просмотр	190 руб. ×	от 15 шт. — 151 руб.
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 195 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: to-220	быстрый просмотр	280 руб. ×	от 15 шт. — 239 руб.
FQP17N40, Транзистор, QFET, N-канал, 400В, 16А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Корпус: to-220	быстрый просмотр	370 руб. ×	от 15 шт. — 343 руб.
FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.12 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 9.3 Корпус: to-220	быстрый просмотр	220 руб. ×	от 15 шт. — 172 руб.
FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/8.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Корпус: to-220	быстрый просмотр	340 руб. ×	от 20 шт. — 335 руб.