Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics, стр.16

364 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
быстрый просмотр
6-8 недель,
1188 шт.
3 500 руб. ×
от 10 шт. — 2 930 руб.
от 25 шт. — 2 450 руб.
от 50 шт. — 2 421.20 руб.
STGW38IH130D, Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В
По запросу
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 63
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 125
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 284
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
По запросу
230 руб. ×
от 15 шт. — 210 руб.
STGD18N40LZT4, Транзистор IGBT 400В 25А [D-PAK]
Нет в наличии
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH, Internally Clamped
Наличие встроенного диода: Нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 420
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 650
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 13500
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: DPAK/TO-252AA
быстрый просмотр
Нет в наличии
STGB30H60DFB
6-7 дней, 3 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-7 дней,
3 шт.
1 880 руб. ×
от 2 шт. — 1 740 руб.
STGD14NC60KT4
6-7 дней, 22 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-7 дней,
22 шт.
420 руб. ×
от 2 шт. — 330 руб.
от 5 шт. — 258 руб.
от 10 шт. — 234.36 руб.
STGP30V60F
6-7 дней, 10 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-7 дней,
10 шт.
1 070 руб. ×
от 2 шт. — 950 руб.
от 5 шт. — 855 руб.
от 10 шт. — 812.50 руб.
STGP40V60F
6-7 дней, 9 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-7 дней,
9 шт.
1 310 руб. ×
от 2 шт. — 1 180 руб.
от 5 шт. — 1 090 руб.
STGW40NC60WD
6-7 дней, 7 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-7 дней,
7 шт.
1 430 руб. ×
от 2 шт. — 1 300 руб.
от 5 шт. — 1 200 руб.
STGW50H60DF
6-7 дней, 3 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-7 дней,
3 шт.
2 000 руб. ×
от 2 шт. — 1 870 руб.
от 3 шт. — 1 780 руб.
STGW50NC60W
6-7 дней, 17 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-7 дней,
17 шт.
3 080 руб. ×
от 2 шт. — 2 880 руб.
от 5 шт. — 2 750 руб.
от 10 шт. — 2 607.60 руб.
STGWA60NC60WDR
6-7 дней, 1 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-7 дней,
1 шт.
2 440 руб. ×
STGY50NC60WD
6-7 дней, 8 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-7 дней,
8 шт.
500 руб. ×
от 2 шт. — 390 руб.
от 5 шт. — 315 руб.
10-12 дней,
30 шт.
790 руб. ×
от 4 шт. — 680 руб.
от 8 шт. — 638 руб.
от 15 шт. — 601 руб.
STGB20H60DF, IGBT Transistors 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT
6-8 недель, 207 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-8 недель,
207 шт.
650 руб. ×
от 10 шт. — 510 руб.
от 100 шт. — 385 руб.
STGB35N35LZ-1
6-8 недель, 951 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-8 недель,
951 шт.
820 руб. ×
от 50 шт. — 570 руб.
от 100 шт. — 464 руб.
от 500 шт. — 341.94 руб.
STGB40V60F, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
6-8 недель, 945 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-8 недель,
945 шт.
880 руб. ×
от 10 шт. — 700 руб.
от 25 шт. — 640 руб.
от 100 шт. — 497.24 руб.
STGB7H60DF, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
6-8 недель, 770 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-8 недель,
770 шт.
320 руб. ×
от 10 шт. — 250 руб.
от 100 шт. — 193 руб.
STGBL6NC60DT4
6-8 недель, 667 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-8 недель,
667 шт.
540 руб. ×
от 10 шт. — 410 руб.
от 100 шт. — 305 руб.
от 500 шт. — 240.69 руб.
STGD10NC60SDT4
6-8 недель, 1964 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-8 недель,
1964 шт.
770 руб. ×
от 10 шт. — 590 руб.
от 100 шт. — 437 руб.
от 500 шт. — 321.78 руб.
STGD3NB60FT4
6-8 недель, 1946 шт.
Бренд: ST Microelectronics
6-8 недель,
1946 шт.
390 руб. ×
от 10 шт. — 290 руб.
от 100 шт. — 210 руб.
от 500 шт. — 166.21 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60