Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.7

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

MPSA06, Одиночный биполярный транзистор, универсальный, NPN, 80В, 100МГц, 625мВт, 500мА, 100hFE, [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	29 руб. ×	от 100 шт. — 25 руб.
MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn с 2 резисторами Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.23 Корпус: SC-59	быстрый просмотр	13 руб. ×	от 100 шт. — 7.50 руб.
NJW0302G + NJW0281G [комплект без подбора hFE], Транзистор, NPN/PNP,аудио, 250В, 15А, 150 Вт, 30 МГц [TO-3P] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn+pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр	810 руб. ×	от 15 пар. — 739 руб.
PZT2222AT1G, GP BJT NPN 40V 0.6A, [SOT-223] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	21 руб. ×	от 100 шт. — 17 руб.
PZT751T1G, Транзистор PNP -60В -2А [SOT-223] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 75 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.8 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	54 руб. ×	от 50 шт. — 49 руб.
SMMBTA56LT1G, Транзистор PNP 80В 0.5А [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	6 руб. ×	от 100 шт. — 5 руб.
SS8050CBU, Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 1.5 А,[TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 120 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	19 руб. ×	от 100 шт. — 16 руб.
TIP122G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт, [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65 Корпус: to-220	быстрый просмотр	65 руб. ×	от 15 шт. — 53 руб.
TIP31CG, Транзистор, NPN, 100В, 3А, (=КТ817Г), [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40 Корпус: to-220	быстрый просмотр	98 руб. ×	от 15 шт. — 79 руб.
TIP32CG, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 40 Вт(=КТ816Г), [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40 Корпус: to-220	быстрый просмотр	96 руб. ×	от 15 шт. — 75 руб.
TIP33CG, Транзистор NPN 100В 10А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	410 руб. ×	от 15 шт. — 351 руб.
TIP41CG, Транзистор NPN 100В 6А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65 Корпус: to-220	быстрый просмотр	130 руб. ×	от 15 шт. — 89 руб.
TIP42CG, Транзистор PNP -100В -6А 65Вт [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 65 Корпус: to-220	быстрый просмотр	140 руб. ×	от 15 шт. — 113 руб.
2N3055G, Транзистор NPN 60V 15A, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20…70 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 115 Корпус: то-3	быстрый просмотр	660 руб. ×	от 50 шт. — 605 руб.
2N3904BU, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 625 мВт, 200 мА, 100 hFE [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	18 руб. ×	от 100 шт. — 16 руб.
2N4403G, Транзистор PNP 40В 0.6А [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.63 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	12 руб. ×	от 100 шт. — 11 руб.
2N5551TA, Транзистор Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	18 руб. ×
2N6027G, Транзистор однопереходный 40В 0.15A 0.35Вт [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: n-база Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 25 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	42 руб. ×	от 15 шт. — 36 руб.
2N6036G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 Вт, 4 А, 100 hFE Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	230 руб. ×
2SC5569-TD-E, Транзистор GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	53 руб. ×	от 5 шт. — 47 руб.