Главная › Каталог производителей › HXY MOSFET › HXY MOSFET в разделе «Позиции на заказ», стр.11

HXY MOSFET в разделе «Позиции на заказ», стр.11

_{более 1000}

Сортировка РекомендуемДешевлеДороже

B772, SOT89-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS 4-5 недель, 1950 шт. Пр-во: HXY MOSFET	4-5 недель, 1950 шт.	15 руб. × от 100 шт. — 9 руб. от 300 шт. — 8.30 руб. от 1000 шт. — 7.15 руб.
BAS16, 75V 225mW Single 1.25V@150mA 6ns 150mA SOT23(TO236) Switching Diode ROHS 9-11 недель, 6780 шт. Пр-во: HXY MOSFET	9-11 недель, 6780 шт.	2 руб. × от 600 шт. — 1.40 руб. от 3000 шт. — 1.06 руб.
BAS16, SOT-23 Switching Diode ROHS 4-5 недель, 6780 шт. Пр-во: HXY MOSFET	4-5 недель, 6780 шт.	3 руб. × от 600 шт. — 1.90 руб. от 3000 шт. — 1.34 руб.
BAS21A, 250V 225mW 1 Pair Common Anode 1.25V@200mA 50ns 200mA SOT23(TO236) Switching Diode ROHS 9-11 недель, 12420 шт. Пр-во: HXY MOSFET	9-11 недель, 12420 шт.	5 руб. × от 200 шт. — 4 руб. от 600 шт. — 3.10 руб. от 3000 шт. — 2.69 руб.
BAS21A, SOT-23 Switching Diode ROHS 4-5 недель, 12320 шт. Пр-во: HXY MOSFET	4-5 недель, 12320 шт.	9 руб. × от 200 шт. — 5 руб. от 600 шт. — 4.10 руб. от 3000 шт. — 3.41 руб.
BAS21C, 250V 225mW Dual Common Cathode 1.25V@200mA 50ns 200mA SOT23(TO236) Switching Diode ROHS 9-11 недель, 250 шт. Пр-во: HXY MOSFET	9-11 недель, 250 шт.	3 руб. ×
BAS21C, SOT-23 Switching Diode ROHS 4-5 недель, 250 шт. Пр-во: HXY MOSFET	4-5 недель, 250 шт.	6 руб. ×
BAS21S, 250V 225mW Dual 1.25V@200mA 50ns 200mA SOT23(TO236) Switching Diode ROHS 9-11 недель, 9250 шт. Пр-во: HXY MOSFET	9-11 недель, 9250 шт.	3 руб. × от 300 шт. — 2.40 руб. от 1000 шт. — 2.13 руб.
BAS21S, SOT-23 Switching Diode ROHS 4-5 недель, 9250 шт. Пр-во: HXY MOSFET	4-5 недель, 9250 шт.	6 руб. × от 100 шт. — 4 руб. от 300 шт. — 3.20 руб. от 1000 шт. — 2.60 руб.
BAS40-04, 40V Single 200mA 1V@40mA SOT23(TO236) Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS 9-11 недель, 20540 шт. Пр-во: HXY MOSFET	9-11 недель, 20540 шт.	4 руб. × от 200 шт. — 3 руб. от 600 шт. — 2.40 руб. от 3000 шт. — 2 руб.
BAS40-05, 200nA@30V 40V Common cathode 200mA 1V@40mA SOT-23 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS 4-5 недель, 50 шт. Пр-во: HXY MOSFET	4-5 недель, 50 шт.	4 руб. ×
BAS40-06, 200nA@30V 40V Common anode 100mA 1V@40mA SOT-23 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS 4-5 недель, 300 шт. Пр-во: HXY MOSFET	4-5 недель, 300 шт.	4 руб. ×
BAS40-06, 40V 100mA 1V@40mA SOT23(TO236) Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS 9-11 недель, 700 шт. Пр-во: HXY MOSFET	9-11 недель, 700 шт.	3 руб. ×
BAS40WS, 200nA@30V 40V Single 200mA 1V@40mA SOD-323 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS 4-5 недель, 1050 шт. Пр-во: HXY MOSFET	4-5 недель, 1050 шт.	4 руб. × от 500 шт. — 3 руб.
BAS40WS, 40V Single 200mA 1V@40mA SOD323 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS 9-11 недель, 1050 шт. Пр-во: HXY MOSFET	9-11 недель, 1050 шт.	3 руб. ×
BAS70-04, 70V Dual 70mA 1V@15mA SOT23(TO236) Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS 9-11 недель, 22140 шт. Пр-во: HXY MOSFET	9-11 недель, 22140 шт.	2 руб. × от 600 шт. — 1.70 руб. от 3000 шт. — 1.54 руб.
BAS70WS, 100nA@50V 70V Single 70mA 1V@15mA SOD-323 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS 4-5 недель, 6050 шт. Пр-во: HXY MOSFET	4-5 недель, 6050 шт.	4 руб. × от 500 шт. — 3 руб. от 3000 шт. — 2.10 руб. от 6000 шт. — 1.85 руб.
BAS70WS, 70V Single 70mA 1V@15mA SOD323 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS 9-11 недель, 6050 шт. Пр-во: HXY MOSFET	9-11 недель, 6050 шт.	3 руб. × от 3000 шт. — 2.30 руб. от 6000 шт. — 2.21 руб.
BAT54, 2uA@25V 30V Single 1V@100mA 0.2A SOT-23 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS 4-5 недель, 4950 шт. Пр-во: HXY MOSFET	4-5 недель, 4950 шт.	5 руб. × от 500 шт. — 3 руб. от 3000 шт. — 1.80 руб.
BAT54, 30V Single 1V@100mA 0.2A SOT23(TO236) Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS 9-11 недель, 4950 шт. Пр-во: HXY MOSFET	9-11 недель, 4950 шт.	3 руб. × от 3000 шт. — 1.70 руб.