Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
быстрый просмотр | 510 руб. × |
от 50 шт. — 482 руб.
|
||
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 240 руб. × |
от 10 шт. — 215 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 200 руб. × |
от 15 шт. — 180 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 9
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: 0…+70(TA)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 560 руб. × |
от 10 шт. — 511 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 9
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: 0…+70(TA)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 570 руб. × |
от 10 шт. — 498 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 330 руб. × |
от 10 шт. — 266 руб.
|
|
Бренд: Diodes
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 40(Max)
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 8.9
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 8.9
Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ)
Корпус: SOT-23-6
|
быстрый просмотр | 140 руб. × |
от 5 шт. — 120 руб.
|
|
быстрый просмотр | 300 руб. × |
от 3 шт. — 275 руб.
|
||
быстрый просмотр | 190 руб. × |
от 5 шт. — 140 руб.
|
||
быстрый просмотр | 1 шт. |
1 000 руб. × |
|
|
быстрый просмотр | 150 руб. × |
|
||
Бренд: ON Semiconductor
|
быстрый просмотр | 480 руб. × |
от 5 шт. — 439 руб.
|
|
быстрый просмотр | 970 руб. × |
|
||
быстрый просмотр | 320 руб. × |
от 5 шт. — 210 руб.
|
||
быстрый просмотр | 330 руб. × |
|
||
быстрый просмотр | 2 160 руб. × |
от 5 шт. — 1 860 руб.
|
||
быстрый просмотр | 480 руб. × |
от 5 шт. — 456 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 290 руб. × |
от 5 шт. — 245 руб.
|
|
быстрый просмотр | 650 руб. × |
|
||
быстрый просмотр | 160 руб. × |
от 5 шт. — 130 руб.
|