Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 3.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
370 руб. × |
от 5 шт. — 310 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 3.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
240 руб. × |
от 5 шт. — 211 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
180 руб. × |
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
200 руб. × |
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
170 руб. × |
от 10 шт. — 138 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
220 руб. × |
от 5 шт. — 199 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOT-23-5
|
![]() |
260 руб. × |
от 15 шт. — 215 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.75…5.25
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 7
Рабочая температура, °C: 0…+70(TA)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
130 руб. × |
от 5 шт. — 107 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.75…5.25
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 7
Рабочая температура, °C: 0…+70(TA)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
130 руб. × |
от 10 шт. — 101 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
440 руб. × |
от 5 шт. — 355 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
370 руб. × |
от 5 шт. — 347 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
370 руб. × |
от 5 шт. — 282 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 23
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
|
![]() |
400 руб. × |
от 5 шт. — 339 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 23
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
440 руб. × |
от 5 шт. — 389 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
270 руб. × |
от 10 шт. — 249 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 19
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 19
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
380 руб. × |
от 5 шт. — 350 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 19
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 19
Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
330 руб. × |
от 15 шт. — 309 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
170 руб. × |
от 10 шт. — 151 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…14
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 14
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
![]() |
360 руб. × |
от 5 шт. — 328 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…15
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 9
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+105(TA)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
![]() |
540 руб. × |
от 5 шт. — 488 руб.
|