Усилители – Инструментальные, Операционные, Буферные, стр.20
более 1000
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Пр-во: Analog Devices
Тип усилителя: Аудио
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 9.5
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 3
Напряжение смещения на входе, мкВ: 25
Ток собственного потребления, мА: 2.5
Выходной ток на канал, мА: 45
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±6…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: dip-8(0.300 inch)
|
![]() |
1 010 руб.
×
от 5 шт. — 939 руб.
|
||
Пр-во: Analog Devices
Тип усилителя: Аудио
Кол-во каналов: 1
Тип выхода: Differential
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 15
Ток собственного потребления, мА: 5.5
Выходной ток на канал, мА: 70
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±13…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: dip-8(0.300 inch)
|
![]() |
1 510 руб.
×
от 5 шт. — 1 470 руб.
|
||
Пр-во: ON Semiconductor
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 1.4
Частота единичного усиления, МГц: 1.4
Токовое смещение на входе, нА: 100
Напряжение смещения на входе, мкВ: 1000
Ток собственного потребления, мА: 5
Выходной ток на канал, мА: 1000
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +5…40, ±2.5…20
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: soic-16(0.295 inch)
|
![]() |
270 руб.
×
от 15 шт. — 233 руб.
|
||
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
![]() |
73 руб.
×
от 15 шт. — 68 руб.
|
||
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: dip-8(0.300 inch)
|
![]() |
71 руб.
×
от 10 шт. — 67 руб.
|
||
320 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Выходной ток на канал, мА: 20
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
![]() |
320 шт. |
52 руб.
×
от 15 шт. — 43 руб.
|
|
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: dip-8(0.300 inch)
|
![]() |
120 руб.
×
от 15 шт. — 95 руб.
|
||
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: soic-14(0.154 inch)
|
![]() |
49 руб.
×
от 15 шт. — 44 руб.
|
||
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
![]() |
73 руб.
×
от 15 шт. — 65 руб.
|
||
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
![]() |
44 руб.
×
от 15 шт. — 42 руб.
|
||
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
![]() |
58 руб.
×
от 15 шт. — 48 руб.
|
||
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: dip-8(0.300 inch)
|
![]() |
120 руб.
×
от 15 шт. — 96 руб.
|
||
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
![]() |
72 руб.
×
от 15 шт. — 60 руб.
|
||
2424 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
![]() |
2424 шт. |
48 руб.
×
от 15 шт. — 41 руб.
|
|
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: dip-8(0.300 inch)
|
![]() |
180 руб.
×
от 15 шт. — 108 руб.
|
||
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: soic-8(0.154 inch)
|
![]() |
85 руб.
×
от 15 шт. — 75 руб.
|
||
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: dip-8(0.300 inch)
|
![]() |
180 руб.
×
от 15 шт. — 165 руб.
|
||
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: soic-14(0.154 inch)
|
![]() |
170 руб.
×
от 15 шт. — 128 руб.
|
||
626 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: soic-14(0.154 inch)
|
![]() |
626 шт. |
48 руб.
×
от 15 шт. — 40 руб.
|
|
Пр-во: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
![]() |
98 руб.
×
от 15 шт. — 83 руб.
|