Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: Texas Instruments
Серия: e-trim
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 2
Частота единичного усиления, МГц: 5.5
Токовое смещение на входе, нА: 0.0002
Напряжение смещения на входе, мкВ: 5
Ток собственного потребления, мА: 0.76
Выходной ток на канал, мА: 50
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +2.2…5.5, ±1.1…2.75
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 350 руб. × |
от 10 шт. — 327 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Серия: MicroAmplifier
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 1
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 22
Частота единичного усиления, МГц: 38
Токовое смещение на входе, нА: 0.0005
Напряжение смещения на входе, мкВ: 150
Ток собственного потребления, мА: 5.2
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +2.5…5.5
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 650 руб. × |
от 5 шт. — 573 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Серия: Difet
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 55
Частота единичного усиления, МГц: 16
Токовое смещение на входе, нА: 0.002
Напряжение смещения на входе, мкВ: 130
Ток собственного потребления, мА: 7
Выходной ток на канал, мА: 45
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +9…36, ±4.5…18
Рабочая температура, °C: -25…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 4 620 руб. × |
от 5 шт. — 4 610 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С обратной связью по напряжению
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 295
Частота единичного усиления, МГц: 230
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 500
Токовое смещение на входе, нА: 0.002
Напряжение смещения на входе, мкВ: 250
Ток собственного потребления, мА: 14
Выходной ток на канал, мА: 70
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +8…12, ±4…6
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 1 590 руб. × |
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 28
Частота единичного усиления, МГц: 22
Токовое смещение на входе, нА: 0.015
Напряжение смещения на входе, мкВ: 75
Ток собственного потребления, мА: 4.8
Выходной ток на канал, мА: 30
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +8…36, ±4…18
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 2 000 руб. × |
от 5 шт. — 1 530 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 150
Частота единичного усиления, МГц: 45
Токовое смещение на входе, нА: 0.015
Напряжение смещения на входе, мкВ: 75
Ток собственного потребления, мА: 4.8
Выходной ток на канал, мА: 30
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +8…36, ±4…18
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 1 470 руб. × |
от 5 шт. — 1 430 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С обратной связью по напряжению
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 950
Частота единичного усиления, МГц: 3900
Токовое смещение на входе, нА: 19000
Напряжение смещения на входе, мкВ: 100
Ток собственного потребления, мА: 18.1
Выходной ток на канал, мА: 100
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +5…12, ±2.5…6
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 910 руб. × |
от 5 шт. — 864 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С программируемым коэффициентом усиления
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 9
Полоса пропускания -3 дБ, МГц: 1.5
Токовое смещение на входе, нА: 50
Напряжение смещения на входе, мкВ: 200
Ток собственного потребления, мА: 2.6
Выходной ток на канал, мА: 25
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +9…36, ±4.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 1 510 руб. × |
от 5 шт. — 1 470 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 73 руб. × |
от 15 шт. — 68 руб.
|
|
921 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Выходной ток на канал, мА: 20
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 921 шт. |
52 руб. × |
от 15 шт. — 43 руб.
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 58 руб. × |
от 15 шт. — 48 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 72 руб. × |
от 15 шт. — 60 руб.
|
|
1975 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 1975 шт. |
48 руб. × |
от 15 шт. — 41 руб.
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 85 руб. × |
от 15 шт. — 75 руб.
|
|
738 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 738 шт. |
62 руб. × |
от 15 шт. — 54 руб.
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 58 руб. × |
от 15 шт. — 49 руб.
|
|
1236 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 1236 шт. |
60 руб. × |
от 15 шт. — 46 руб.
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 55 руб. × |
от 15 шт. — 50 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Серия: LinCMOS
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 5.3
Частота единичного усиления, МГц: 2.2
Токовое смещение на входе, нА: 0.0007
Напряжение смещения на входе, мкВ: 1100
Ток собственного потребления, мА: 1.9
Выходной ток на канал, мА: 30
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +3…16, ±1.5…8
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 240 руб. × |
от 5 шт. — 180 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 2.1
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.001
Напряжение смещения на входе, мкВ: 2000
Ток собственного потребления, мА: 0.75
Выходной ток на канал, мА: 16
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +2.7…16, ±1.35…8
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 260 руб. × |
от 5 шт. — 216 руб.
|