Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 49 руб. × |
от 15 шт. — 44 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.5
Частота единичного усиления, МГц: 1
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 0.2
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 73 руб. × |
от 15 шт. — 65 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 120 руб. × |
от 15 шт. — 96 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 72 руб. × |
от 15 шт. — 60 руб.
|
|
2016 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 2016 шт. |
48 руб. × |
от 15 шт. — 41 руб.
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 180 руб. × |
от 15 шт. — 108 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 180 руб. × |
от 15 шт. — 165 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 170 руб. × |
от 15 шт. — 128 руб.
|
|
720 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 720 шт. |
48 руб. × |
от 15 шт. — 40 руб.
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 98 руб. × |
от 15 шт. — 83 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 260 руб. × |
от 15 шт. — 215 руб.
|
|
740 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 740 шт. |
62 руб. × |
от 15 шт. — 54 руб.
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 77 руб. × |
от 15 шт. — 69 руб.
|
|
1270 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 1270 шт. |
60 руб. × |
от 15 шт. — 46 руб.
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 120 руб. × |
от 15 шт. — 100 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 55 руб. × |
от 15 шт. — 50 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 73 руб. × |
от 15 шт. — 65 руб.
|
|
708 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 708 шт. |
38 руб. × |
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 130 руб. × |
от 15 шт. — 91 руб.
|
|
593 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 16
Частота единичного усиления, МГц: 4
Токовое смещение на входе, нА: 0.02
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Выходной ток на канал, мА: 40
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +6…36, ±3…18
Рабочая температура, °C: -40…+105
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 593 шт. |
54 руб. × |
от 50 шт. — 49 руб.
|