Оптопары с симисторным и тиристорным выходом700
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
509 шт.
Пр-во: Vishay
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5300
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 600
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 10000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 2
Ток удержания, мА: 0.5
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
509 шт. |
740 руб.
×
от 20 шт. — 720 руб.
|
|
42 шт.
Пр-во: Vishay
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5300
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 800
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 10000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 2
Ток удержания, мА: 0.5
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
42 шт. |
870 руб.
×
от 20 шт. — 818 руб.
|
|
184 шт.
Пр-во: Vishay
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: есть
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5300
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 600
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 10000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 2
Ток удержания, мА: 0.5
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
184 шт. |
540 руб.
×
от 20 шт. — 512 руб.
|
|
248 шт.
Пр-во: Vishay
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5300
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 800
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 10000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 2
Ток удержания, мА: 0.5
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
248 шт. |
720 руб.
×
от 20 шт. — 665 руб.
|
|
1226 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 400
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 30
Ток удержания, мА: 0.1
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
1226 шт. |
83 руб.
×
от 20 шт. — 72 руб.
|
|
233 шт.
Пр-во: Lite-On
|
![]() |
233 шт. |
45 руб.
×
|
|
5150 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 400
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 15
Ток удержания, мА: 0.1
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
5150 шт. |
83 руб.
×
от 20 шт. — 72 руб.
|
|
1148 шт.
Пр-во: Fairchild
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 400
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 10
Ток удержания, мА: 0.1
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
1148 шт. |
96 руб.
×
от 20 шт. — 83 руб.
|
|
![]() |
2042 шт. |
82 руб.
×
от 5 шт. — 74 руб.
|
||
3280 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 400
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 5
Ток удержания, мА: 0.1
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
3280 шт. |
83 руб.
×
от 20 шт. — 72 руб.
|
|
1402 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: есть
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 400
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 1000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 15
Ток удержания, мА: 0.4
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
1402 шт. |
110 руб.
×
от 20 шт. — 98 руб.
|
|
561 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: есть
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 400
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 1000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 10
Ток удержания, мА: 0.4
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
561 шт. |
110 руб.
×
от 20 шт. — 108 руб.
|
|
719 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: есть
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 400
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 1000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 5
Ток удержания, мА: 0.4
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
719 шт. |
120 руб.
×
от 20 шт. — 98 руб.
|
|
719 шт.
Пр-во: Lite-On
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 600
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 1000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 10
Ток удержания, мА: 0.4
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
719 шт. |
69 руб.
×
от 20 шт. — 58 руб.
|
|
3367 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: нет
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 600
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 1000
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 15
Ток удержания, мА: 0.22
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
3367 шт. |
140 руб.
×
от 20 шт. — 111 руб.
|
|
1886 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: есть
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 600
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 600
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 15
Ток удержания, мА: 0.5
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
1886 шт. |
140 руб.
×
от 20 шт. — 118 руб.
|
|
1855 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: есть
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 600
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 600
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 10
Ток удержания, мА: 0.5
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
1855 шт. |
160 руб.
×
от 20 шт. — 120 руб.
|
|
545 шт.
Пр-во: Lite-On
|
![]() |
545 шт. |
82 руб.
×
от 20 шт. — 69 руб.
|
|
6143 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: есть
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 600
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 600
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 5
Ток удержания, мА: 0.5
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-6 (300 mil)
|
![]() |
6143 шт. |
140 руб.
×
от 20 шт. — 123 руб.
|
|
1525 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Тип выхода: Симистор
Детектор перехода через ноль: есть
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В: 600
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt, В/мкс: 600
Отпирающий постоянный ток управления, мА: 5
Ток удержания, мА: 0.5
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SMD-6 / DIP-6 SMD Leads
|
![]() |
1525 шт. |
140 руб.
×
от 20 шт. — 113 руб.
|