MOSFET - полевые транзисторы с логическим управлением

Основной особенностью этих транзисторов является то, что напряжение затвора (напряжение включения) имеет гораздо меньшую величину (5 В против 10 В у обычных Mosfet), что делает возможным подключение к ним ,напрямую, выходных элементов цифровой логики ТТЛ/КМОП

Основные параметры MOSFET-транзисторов:

Ucи. макс. - максимальное напряжение сток-исток
Ic.макс.- максимальный продолжительный ток стока при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С этот ток падает на ~30%, при работе в импульсном режиме - повышается в ~2-4 раза в зависимости от модели и длительности импульса
Pс.макс. - максимальная рассеиваемая стоком мощность при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С значение мощности линейно падает в ~2:2,5 раза
Rс.иотк. - максимальное значение статического сопротивления сток-исток в открытом состоянии

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) в нашем каталоге