IGBT транзисторы
IGBT-транзисторы или биполярные транзисторы с изолированным затвором, в которых, в отличии от классического биполярного транзистора, инжекция носителей в базу осуществляется не р_n переходом база -эмиттер, а полевым транзистором с изолированным затвором.
Такая конструктивная особенность приводит к следующим важным свойствам:
- База, как конструктивный элемент, через которую осуществляется пролет носителей как таковой отсутствует.
- Эмиттер имеет площадь сравнимую с площадью коллектора.
- Эмиттер и коллектор могут быть разнесены на значительное расстояние, что в совокупности с малым легированием коллектора позволяет достичь значительных пробивных напряжений.
- В соответствии с п.3 приборы этого типа не могут достичь частотных характеристик как полевых транзисторов так и, тем более, классических биполярных приборов.
Исходя из этого IGBT приборы (IGBT транзисторы) имеют преимущества перед приборами других типов, тем больше, чем больше рабочее напряжение и прямой ток. Современные IGBT транзисторы могут работать на частотах до 75кГц при рабочем напряжении 1200В и токе до 78А.
IGBT-транзисторы в нашем каталоге
