Многофункциональный тестер TC-1
25.03.2019
Представляем вашему вниманию многофункциональный тестер полупроводниковых элементов TC-1. Благодаря богатой функциональности, портативным размерам. Цветному TFT экрану и наличию встроенного аккумулятора данный тестер может стать незаменимым спутником при покупке и оценке полупроводниковых элементов в «полевых» условиях.
Функциональные особенности:
- автоматическое обнаружение биполярных транзисторов NPN и PNP, N- канала и P- канала, МОП - транзисторы , Полевой транзистор с управляющим PN-переходом, JFET, диоды, ( включая двойные диоды ), N- и P-IGBT, резисторы ( включая потенциометры ), индукторы , конденсаторы , тиристоры, симисторы и аккумулятор (0.1-4.5 В)
- автоматическое обнаружение стабилитрона (0.01-30В)
- самотестирование с автоматической калибровкой
- поддержка кодирования IRI Hitachi
- обнаружение ИК- сигналов
- наличие встроенного аккумулятора
- автоматическое отключение питания (заданный тайм–аут)
Основные характеристики
| Компонент | Диапазон | Описание параметров |
|---|---|---|
| Транзистор биполярный BJT | - | hFE (DC коэффициент усиления), Ube (напряжение базой и Эмиттером), Ic (ток коллектора), Iceo (ток отсечки коллектора (IB = 0)), Ices (Collector short Current), Uf (прямое напряжение защитного диода) 3 |
| Диод | Прямое напряжение < 4.50 В | Прямое напряжение, емкость диода, Ir (обратный ток) 2 |
| Сдвоенный диод | Прямое напряжение | |
| Диод Зенера (стабилитрон) | 0.01-4.50V (Тестовая зона транзистора) |
Прямое напряжение, обратное напряжение |
| 0.01-30V (Тестовая зона диода Зенера) |
Обратное напряжение | |
| Полевой транзистор MOSFET | с управляющим PN-переходом (JFET) | Cg (емкость затвора), Id (ток стока) при Vgs (пороговое напряжение затвор-исток), Uf (прямое напряжение защитного диода) 4 |
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT | Id (ток стока) при Vgs (пороговое напряжение от источника до источника), Uf (прямое напряжение защитного диода) 4 | |
| с изолированным затвором MOSFET | Vt (пороговое напряжение затвор-исток), Cg (Емкость затвора), Rds (сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии), Uf (прямое напряжение защитного диода) 4 | |
| Тиристор | Igt (триггерный ток затвора) <6 мА | Отпирающее напряжение управления |
| Симистор | ||
| Конденсатор | 25пФ-100мФ | Емкость, ESR (эквивалентное последовательное сопротивление) 1 |
| Резистор | 0.01-50МОм | Сопротивление |
| Индуктор | 0.01мГн-20Гн | Индуктивность, сопротивление постоянного тока 5 |
| Батарея | 0.1-4.5В | Напряжение, полярность батареи |
Примечание:
1 Iceo, Ices, Uf отображаются только, когда эффективны
2 Диодная емкость, Ir (обратный ток) отображается только, когда эффективны
3 отображается только при защитном диоде
4 ESR, Vloss отображается только, когда эффективно
5 Измерение индуктивности с сопротивлением ниже 2100 Ом
