1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]

1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4660 шт. со склада г.Москва
12 руб.
от 50 шт.11 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 руб.
Номенклатурный номер: 9001106016
Артикул: 1N60G
PartNumber: UMW 1N60G

Описание

600V 1A 11¦¸@10V, 500mA 4V@250¦ÌA N Channel SOT-223 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 8.5 Ом/0.5А, 10В
Крутизна характеристики, S 0.5
Корпус SOT-223
Вес, г 0.39

Техническая документация

Datasheet UMW 1N60
pdf, 1531 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.