2N4403TFR, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 20 hFE

Ном. номер: 8952986670
Артикул: 2N4403TFR
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 2N4403TFR, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 20 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 2N4403TFR, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 20 hFE
30 руб.
1455 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 25 шт. — 21 руб.
от 100 шт. — 12 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
9 руб. 8 дней, 10800 шт. 200 шт. 200 шт.
8.20 руб. 3-4 недели, 40 шт. 10 шт. 20 шт.
23.10 руб. 3-5 недель, 1247 шт. 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 21.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Small Signal PNP Transistors, 40 to 50V, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Усиление Тока hFE
Частота Перехода ft
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-0.40 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Number of Elements per Chip
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-0.95 V
Length
5.2мм
Maximum Collector Base Voltage
-40 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
40 В
Package Type
TO-92
Maximum Power Dissipation
625 mW
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature
-50 °C
Width
4.19mm
Maximum DC Collector Current
600 mA
Transistor Type
PNP
Height
5.33mm
Pin Count
3
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Minimum DC Current Gain
20
Вес, г
0.24

Дополнительная информация

Datasheet 2N4403TFR

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.