2N5193, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 1 А, 40 Вт, TO-126, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90 шт., срок 8-10 недель
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
Добавить в корзину 23 шт.
на сумму 2 760 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
The 2N5193 is a PNP Silicon Power Transistor designed for use in power amplifier and switching excellent safe area limits.
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| Continuous Collector Current | 1А |
| DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-126 |
| Частота Перехода ft | 2МГц |
| Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet 2N5193
pdf, 208 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
