2N5193, BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 шт., срок 8-10 недель
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 50 шт. —
107 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 2 700 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
The 2N5193 is a PNP Silicon Power Transistor designed for use in power amplifier and switching excellent safe area limits.
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 40В |
Continuous Collector Current | 1А |
DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
Power Dissipation | 40Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-126 |
Частота Перехода ft | 2МГц |
Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet 2N5193
pdf, 208 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.