2N5416, RF TRANSISTOR, PNP, TO-39
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7893 шт., срок 8-10 недель
530 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
430 руб.
от 100 шт. —
293 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 650 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 300В |
Continuous Collector Current | 1А |
DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
Power Dissipation | 1Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-39 |
Частота Перехода ft | 15МГц |
Вес, г | 0.99 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 233 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.