2N6051, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 12 А, 150 Вт, TO-3, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
458 шт., срок 8-10 недель
1 470 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 050 руб.
от 100 шт. —
749 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 940 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 80В |
Continuous Collector Current | 12А |
DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
Power Dissipation | 150Вт |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3 |
Вес, г | 11.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2818 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.