2N6308, TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
181 шт., срок 7-9 недель
1 810 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 180 руб.
от 100 шт. —
902 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 620 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 350В |
Continuous Collector Current | 8А |
DC Current Gain hFE Min | 60hFE |
Power Dissipation | 125Вт |
Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3 |
Частота Перехода ft | 5МГц |
Вес, г | 11.34 |
Техническая документация
Datasheet 2N6308
pdf, 273 КБ
Чертеж
pdf, 183 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.