2N6660, Силовой МОП-транзистор, DMOS, N Channel, 60 В, 410 мА, 3 Ом, TO-39, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 310 руб.
от 25 шт. —
3 040 руб.
от 100 шт. —
2 820 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 310 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 60V 3Ohm
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 3Ом |
Power Dissipation | 6.25Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 410мА |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 6.25Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-39 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Id - непрерывный ток утечки | 410 mA |
Pd - рассеивание мощности | 6.25 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 170 mS |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Технология | Si |
Тип | FET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 10 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | Microchip Technology |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-39-3 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 410mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 24V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
PCN Assembly/Origin | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
PCN Design/Specification | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
PCN Packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
Power Dissipation (Max) | 6.25W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | RoHS non-compliant |
Supplier Device Package | TO-39 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 452 КБ
Datasheet 2N6660
pdf, 457 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов