2N7002DWH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
53 руб.
от 10 шт. —
36 руб.
от 100 шт. —
19.91 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой N-MOSFET 2N7002DWH6327XTSA1 производства INFINEON является высококачественным компонентом для SMD монтажа. Этот элемент обладает током стока 0,3 А, напряжением сток-исток 60 В и мощностью 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 4 Ом. Упакованный в компактный корпус PG-SOT-363, он предназначен для широкого спектра областей применения, где требуется надежное управление током. Код товара 2N7002DWH6327XTSA1 без пробелов и специальных символов преобразуется в 2N7002DWH6327XTSA1, что упрощает поиск и идентификацию компонента в системах электронного каталога. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.3 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 4 |
| Корпус | PG-SOT-363 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 15000 |
| Fall Time | 3.1 ns, 3.1 ns |
| Forward Transconductance - Min | 200 mS, 200 mS |
| Height | 0.9 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 300 mA, 300 mA |
| Length | 2 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | 2N7002DW 2N7002DWH6327XT H6327 SP000917596 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 600 pC, 600 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms, 1.6 Ohms |
| Rise Time | 3.3 ns, 3.3 ns |
| RoHS | Details |
| Series | 2N7002 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 5.5 ns, 5.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns, 3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V, 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V, 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V, 1.5 V |
| Width | 1.25 mm |
| Base Product Number | 2N7002 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 300mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Case | PG-SOT-363 |
| Drain current | 0.3A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 4Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Вес, г | 0.635 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002DWH6327XTSA1
pdf, 443 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
