2N7002NXAKR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 120мА, Idm: 0,76А, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 шт. со склада г.Москва, срок 5-6 дней

18 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 18 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8017513524

Артикул: 2N7002NXAKR

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 120мА, Idm: 0,76А, SOT23 Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	300 mA
Pd - рассеивание мощности	325 mW
Qg - заряд затвора	0.33 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	7 ns
Время спада	5 ns
Другие названия товара №	934661281215
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	11 ns
Типичное время задержки при включении	6 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Вес, г	0.01

pdf, 272 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем