2N7002NXBKR, 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33000 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
5.20 руб.
от 24000 шт. —
5.10 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 18 000 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 270 mA |
Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
Qg - заряд затвора | 1 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 4.3 ns |
Время спада | 2.9 ns |
Другие названия товара № | 934661282215 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 6.9 ns |
Типичное время задержки при включении | 4.7 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 2.2Ом |
Power Dissipation | 310мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 270мА |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
Рассеиваемая Мощность | 310мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.2Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002NXBKR
pdf, 284 КБ
Datasheet 2N7002NXBKR
pdf, 281 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.