2N7002NXBKR, 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB

Фото 1/3 2N7002NXBKR, 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
33000 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт.5.20 руб.
от 24000 шт.5.10 руб.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 18 000 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8025440446
Артикул: 2N7002NXBKR
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 270 mA
Pd - рассеивание мощности 400 mW
Qg - заряд затвора 1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 4.3 ns
Время спада 2.9 ns
Другие названия товара № 934661282215
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 6.9 ns
Типичное время задержки при включении 4.7 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 2.2Ом
Power Dissipation 310мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 270мА
Пороговое Напряжение Vgs 1.6В
Рассеиваемая Мощность 310мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 2.2Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23

Техническая документация

Datasheet 2N7002NXBKR
pdf, 284 КБ
Datasheet 2N7002NXBKR
pdf, 281 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.