2SAR542PT100, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
145 шт., срок 7 недель
80 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
51 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT PNP 30V 5A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | 2SAR542P |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 240 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | 2SxR |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | MPT-3 |
Collector Emitter Voltage Max | 30В |
Continuous Collector Current | 5А |
DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
Power Dissipation | 500мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet 2SAR542PT100
pdf, 659 КБ
Datasheet 2SAR542PT100
pdf, 697 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.