2SAR586D3TL1, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1285 шт., срок 7 недель
290 руб.
от 5 шт. —
160 руб.
от 25 шт. —
141 руб.
от 100 шт. —
108.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
2SAR586D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. Suitable for Power Driver.
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Continuous Collector Current | 5А |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
| Power Dissipation | 10Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 200МГц |
| Maximum Collector Base Voltage | -80(V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Maximum DC Collector Current | -5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Frequency | 200 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 10 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
