2SB778, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]

2SB778, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Только в рознице. Цена и сроки поставки по запросу
300 руб.
от 15 шт.273 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000464570
Артикул: 2SB778
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: Inchange Semiconductor

Технические параметры

Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 55…160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 80
Корпус TO-3PF
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet 2SB778
pdf, 79 КБ
ISC new catalogue
pdf, 2862 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Цена и наличие в магазинах