2SC4082T106/P, 2SC4082T106/P NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 20 V, 3-Pin UMT

Фото 1/3 2SC4082T106/P, 2SC4082T106/P NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 20 V, 3-Pin UMT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
50 шт., срок 7 недель
27 руб.
19 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 190 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8028833248
Артикул: 2SC4082T106/P
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 30 V
Maximum Collector Emitter Voltage 20 V
Maximum DC Collector Current 50 mA
Maximum Emitter Base Voltage 3 V
Maximum Operating Frequency 1500 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type UMT
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.8 mm
Длина 2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 56
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 180
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.05 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 18 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
Непрерывный коллекторный ток 50 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 1.5 GHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия 2SC4082
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Ширина 1.25 mm
Collector Emitter Voltage Max 20В
Continuous Collector Current 50мА
DC Current Gain hFE Min 82hFE
DC Ток Коллектора 50мА
DC Усиление Тока hFE 82hFE
Power Dissipation 200мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора SC-70
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 20В
Рассеиваемая Мощность 200мВт
Стиль Корпуса Транзистора SC-70
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 1.5ГГц

Техническая документация

Datasheet
pdf, 565 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 179 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.