2SC4213-B(TE85L,F), Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 300 мА, 100 мВт, SOT-323, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8760 шт., срок 7-9 недель
97 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 2 910 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Bipolar Transistors - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 20В |
Continuous Collector Current | 300мА |
DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
Power Dissipation | 100мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Частота Перехода ft | 30МГц |
Brand | Toshiba |
Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 20 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.042 V |
Configuration | Single |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
DC Current Gain hFE Max | 1200 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 25 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT | 30 MHz |
Manufacturer | Toshiba |
Maximum DC Collector Current | 300 mA |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-323-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 100 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 2SC4213 |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.000176 oz |
Техническая документация
Документация
pdf, 275 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.