2SC5707-TL-E, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
Описание Транзистор: NPN
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 8 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 15 W |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TP-FA |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Frequency - Transition | 330MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Active |
Power - Max | 1W |
Series | - |
Supplier Device Package | 2-TP-FA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 175mA, 3.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов