Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › 2SC5876U3HZGT106Q, Биполярный транзистор ...

2SC5876U3HZGT106Q, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 500 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

170 шт., срок 8-10 недель

95 руб.

Мин. кол-во для заказа 30 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 53 руб.

Добавить в корзину 30 шт. на сумму 2 850 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001667935

Артикул: 2SC5876U3HZGT106Q

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 0.5A 0.2W SOT-323

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	60В
Continuous Collector Current	500мА
DC Current Gain hFE Min	120hFE
DC Усиление Тока hFE	120hFE
Power Dissipation	200мВт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-323
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	300МГц
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	390
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	150 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	500 mA
Подкатегория	Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-323-3
Вес, г	0.03