2SC6097-TL-E, Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING

2SC6097-TL-E, Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 руб.
от 10 шт.170 руб.
от 100 шт.109 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Номенклатурный номер: 8005368379
Артикул: 2SC6097-TL-E

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 60
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6.5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@100mA@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.135@100mA@1A|0.15@50mA@1A
Maximum DC Collector Current (A) 3
Minimum DC Current Gain 300@100mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 800
Maximum Transition Frequency (MHz) 390(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Standard Package Name TO-252
Pin Count 3
Supplier Package DPAK
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 2.3
Package Length 6.5
Package Width 5.5
PCB changed 2
Tab Tab
Lead Shape Gull-wing
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet 2SC6097-TL-E
pdf, 425 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов