2SCR502UBTL, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 500 мА, 200 мВт, SOT-323FL, Surface Mount

Фото 1/4 2SCR502UBTL, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 500 мА, 200 мВт, SOT-323FL, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
14700 шт., срок 8-10 недель
65 руб.
Мин. кол-во для заказа 45 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.28 руб.
Добавить в корзину 45 шт. на сумму 2 925 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8000819233
Артикул: 2SCR502UBTL
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Digital Transtr Driver

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 30В
Continuous Collector Current 500мА
DC Current Gain hFE Min 200hFE
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Power Dissipation 200мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323FL
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 360МГц
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 2SCR502UB
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 500
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 0.5 A
Подкатегория Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 360 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-323FL-3
Maximum Collector Base Voltage 30 V
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Maximum DC Collector Current 500 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Minimum DC Current Gain 200
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-323FL
Pin Count 3
Transistor Configuration Common Emitter
Transistor Type NPN
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1993 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1993 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.