2SD1383KT146B, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 250 МГц, 200 мВт, 300 мА, 5000 hFE

Фото 2/2 2SD1383KT146B, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 250 МГц, 200 мВт, 300 мА, 5000 hFE
Фото 1/2 2SD1383KT146B, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 250 МГц, 200 мВт, 300 мА, 5000 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8000816902
Артикул: 2SD1383KT146B
Производитель: Rohm
69 руб.
2390 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 50 руб.
от 100 шт. — 26 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
42 руб. 7 дней, 30 шт. 30 шт. 30 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Darlington Transistors, ROHM

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 32В
Стиль Корпуса Транзистора sot-346
Рассеиваемая Мощность 200мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 300мА
DC Усиление Тока hFE 5000hFE
Частота Перехода ft 250МГц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1,5 В
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 2.9мм
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 40 V
Maximum Collector Cut-off Current 1µA
Brand ROHM
Maximum Collector Emitter Voltage 32 V
Maximum Continuous Collector Current 300 mA
Package Type SMT
Максимальное рассеяние мощности 200 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.6мм
Тип транзистора NPN
Высота 1.1мм
Pin Count 3
Dimensions 2.9 x 1.6 x 1.1mm
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Minimum DC Current Gain 5000
Вес, г 0.032

Дополнительная информация

Datasheet 2SD1383KT146B

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах