2SD2656T106, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2225 шт., срок 7 недель
24 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
16 руб.
от 150 шт. —
14 руб.
от 500 шт. —
12.63 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярный (BJT) транзистор NPN 30V 1A 400MHz 200mW Surface Mount UMT3
Технические параметры
Base Product Number | 2SD2656 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 400MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
Supplier Device Package | UMT3 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 30 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 140 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 1 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 270 |
DC Current Gain hFE Max: | 680 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 400 MHz |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 1 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SC-70-3 |
Part # Aliases: | 2SD2656 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | 2SD2656 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1488 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.