2SD2704KT146, TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30Vebo; 0.3A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42000 шт., срок 7 недель
15 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
14 руб.
от 15000 шт. —
12.52 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 45 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN;30Vebo;0.3A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | 2SD2704K |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 820 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 35 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | 2SD2704K |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | EMT-3 |
Техническая документация
Datasheet 2SD2704KT146
pdf, 544 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.