2SK3075(TE12L,Q)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
967 шт., срок 8-10 недель
1 630 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 260 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 7.5 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 520 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SK3075 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | PW-X-4 |
| Усиление | 11.7 dB |
Техническая документация
2SK3075
pdf, 118 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
