2STR2160, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 500 мВт, -1 А, 45 hFE

Фото 2/3 2STR2160, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 500 мВт, -1 А, 45 hFEФото 3/3 2STR2160, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 500 мВт, -1 А, 45 hFE
Фото 1/3 2STR2160, Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 500 мВт, -1 А, 45 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8000281754
Артикул: 2STR2160
Производитель: ST Microelectronics
49 руб.
1050 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 25 шт. — 40 руб.
от 100 шт. — 31 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
13 руб. 7 дней, 12000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 9000 шт. — 12 руб.
34 руб. 7 дней, 14725 шт. 25 шт. 25 шт.
от 125 шт. — 31 руб.
от 250 шт. — 29 руб.
от 625 шт. — 25.87 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер -60В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 500мВт
Полярность Транзистора pnp
DC Ток Коллектора -1А
DC Усиление Тока hFE 45hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 480 mV
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,3 В
Length 3.04мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Maximum Collector Base Voltage -60 В
Brand STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) -60 В
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 500 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.75мм
Максимальный пост. ток коллектора 1 A, 2 (Peak) A
Transistor Type PNP
Высота 1.3мм
Число контактов 3
Dimensions 3.04 x 1.75 x 1.3мм
Максимальное напряжение эмиттер-база -5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 45
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 480 mV
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,3 В
Максимальное напряжение коллектор-база -60 В
Transistor Configuration Одинарный
Brand STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage -60 В
Тип корпуса SOT-23
Maximum Power Dissipation 500 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Максимальный пост. ток коллектора 1 A, 2 (Peak) A
Transistor Type PNP
Pin Count 3
Размеры 3.04 x 1.75 x 1.3мм
Maximum Emitter Base Voltage -5 В
Вес, г 0.454

Дополнительная информация

Datasheet 2STR2160

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.