2STR2160, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А, 500 мВт, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1230 шт., срок 8-10 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
79 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 3 250 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Continuous Collector Current | 1А |
| DC Current Gain hFE Min | 45hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 45hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 45 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 260 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2STR2160 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Collector Base Voltage | -60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
| Maximum DC Collector Current | -2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet 2STR2160
pdf, 293 КБ
Datasheet 2STR2160
pdf, 366 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
