30C02CH-TL-E, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 700 мА, 700 мВт, SOT-23, Surface Mount

30C02CH-TL-E, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 700 мА, 700 мВт, SOT-23, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003141314
Артикул: 30C02CH-TL-E
Производитель: ON Semiconductor
26 руб.
5975 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 25 шт. — 21 руб.
от 100 шт. — 20 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
30 руб. 7 дней, 4950 шт. 50 шт. 50 шт.
от 500 шт. — 26 руб.
от 1250 шт. — 25 руб.
от 2500 шт. — 22.21 руб.
10 руб. 3-5 недель, 3000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 30В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 700мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 700мА
DC Усиление Тока hFE 300hFE
Частота Перехода ft 540МГц
Transistor Mounting Surface Mount
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 190 mV
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 540 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Length 2.9мм
Transistor Configuration Single
Maximum Collector Base Voltage 40 В
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Package Type CPH
Maximum Power Dissipation 700 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Width 1.6мм
Maximum DC Collector Current 700 мА
Transistor Type NPN
Height 0.9мм
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 В
Dimensions 2.9 x 1.6 x 0.9mm
Minimum DC Current Gain 300
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.75
PCB changed 3
Package Height 0.9
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Package Width 1.6
Package Length 2.9
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 40
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@10mA@200mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.19@10mA@200mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.7
Minimum DC Current Gain 300@50mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 700
Maximum Transition Frequency (MHz) 540(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package CPH
Pin Count 3
Standard Package Name SOT
Military No
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 190 mV
Максимальная рабочая температура +150 °C
Maximum Operating Frequency 540 MHz
Количество элементов на ИС 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Длина 2.9мм
Maximum Collector Base Voltage 40 V
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Package Type CPH
Maximum Power Dissipation 700 mW
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.6мм
Maximum DC Collector Current 700 mA
Transistor Type NPN
Высота 0.9мм
Pin Count 3
Dimensions 2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Minimum DC Current Gain 300
Вес, г 0.4

Дополнительная информация

Datasheet 30C02CH-TL-E
Datasheet 30C02CH-TL-E

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.