4N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 4А [TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1583 шт. со склада г.Москва
29 руб.
от 50 шт. —
26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 29 руб.
Номенклатурный номер: 9001106030
Артикул: 4N60L
PartNumber: UMW 4N60L
Описание
Транзистор полевой N-канальный 600В 4A
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом/2А, 10В | |
Крутизна характеристики, S | 2.5 | |
Корпус | dpak | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet 4N60
pdf, 1810 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.