Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Infineon › AIGW50N65F5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А ...

AIGW50N65F5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 180 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 2 000 руб.

от 10 шт. — 1 780 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 4 360 руб.

Номенклатурный номер: 8000895980

Артикул: AIGW50N65F5XKSA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage	1.66В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	80А
Power Dissipation	270Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Pd - рассеивание мощности	270 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	AIGW50N65F5 SP001346882
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.66 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	240
Серия	TRENCHSTOP 5 F5
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Вес, г	1