AOK40B65H2AL, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 105Вт; TO247; Eвыкл:0,54мДж
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
от 5 шт. —
560 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 105Вт, TO247, Eвыкл: 0,54мДж Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 80A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 315ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.6V@15V, 40A |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 260W |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 120A |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 61nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 117ns |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 30ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 1.17mJ |
| Type | - |
| Вес, г | 6.19 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
