AP9930GM, Транзистор, 2N+ 2P-канал, 30В, 5.5/-4.1A, 33/55мОм [SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Только в рознице. Цена и сроки поставки по запросу
98 руб.
от 25 шт. —
90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 98 руб.
Технические параметры
Структура | 2N/2P-канала | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5/4.1 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.033 Ом/6.3А, 10В/0.055 Ом/5.1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.38 | |
Крутизна характеристики, S | 5.2/4.8 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
AP9930GM(2N and 2P)
pdf, 96 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают