AP9930GM, Транзистор, 2N+ 2P-канал, 30В, 5.5/-4.1A, 33/55мОм [SO-8]

AP9930GM, Транзистор, 2N+ 2P-канал, 30В, 5.5/-4.1A, 33/55мОм [SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Только в рознице. Цена и сроки поставки по запросу
98 руб.
от 25 шт.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 98 руб.
Номенклатурный номер: 9060001201
Артикул: AP9930GM

Технические параметры

Структура 2N/2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5/4.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.033 Ом/6.3А, 10В/0.055 Ом/5.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.38
Крутизна характеристики, S 5.2/4.8
Корпус SOIC-8
Вес, г 0.15

Техническая документация

AP9930GM(2N and 2P)
pdf, 96 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов