APT100GN120B2G, IGBT, 1.2KV, 245A, THT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 310 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 310 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 245А |
| Power Dissipation | 960Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Вес, г | 10.04 |
Техническая документация
Datasheet APT100GN120B2G
pdf, 128 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
