AUIRF7316QTR, N-Channel MOSFET, 4.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC AUIRF7316QTR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 3 400 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Width | 4mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 58 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 13 ns |
| Время спада | 32 ns |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
