AUIRFZ24NSTRL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 55 В, 17 А, 0.07 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Фото 1/2 AUIRFZ24NSTRL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 55 В, 17 А, 0.07 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
600 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт.520 руб.
от 100 шт.382 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 3 000 руб.
Номенклатурный номер: 8002911284
Артикул: AUIRFZ24NSTRL

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.07Ом
Power Dissipation 45Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции HEXFET
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 55В
Непрерывный Ток Стока 17А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 45Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.07Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Maximum Continuous Drain Current 17 A
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Mounting Type Surface Mount
Package Type D2PAK(TO-263)
Вес, г 1.43

Техническая документация

Datasheet AUIRFZ24NS
pdf, 641 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов