AUIRFZ24NSTRL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 55 В, 17 А, 0.07 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
520 руб.
от 100 шт. —
382 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
Power Dissipation | 45Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HEXFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
Непрерывный Ток Стока | 17А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 45Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Вес, г | 1.43 |
Техническая документация
Datasheet AUIRFZ24NS
pdf, 641 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов