AUIRG4BC30SSTRL, БТИЗ транзистор, 34 А, 1.84 В, 100 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 530 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 390 руб.
от 10 шт. —
1 230 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 060 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.84В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 34А |
Power Dissipation | 100Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Pd - рассеивание мощности | 100 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | SP001511460 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Квалификация | AEC-Q101 |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 34 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка / блок | DPAK-3 |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 34 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 100 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | D2PAK |
Вес, г | 1.63 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 301 КБ
Datasheet AUIRG4BC30SSTRL
pdf, 302 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов