BC556BTF, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 4000 шт.
Кратность заказа 2000 шт.
Добавить в корзину 4000 шт.
на сумму 44 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
BC556: PNP Epitaxial Silicon Transistor High Voltage: BC556 VCEO= -65V Low Noise: BC559,BC560 Complement to BC546.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | -65 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 349 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
