BC846BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-NPN, 65В, 100мА [SOT-363 / SC-88]

Фото 2/5 BC846BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-NPN, 65В, 100мА [SOT-363 / SC-88]Фото 3/5 BC846BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-NPN, 65В, 100мА [SOT-363 / SC-88]Фото 4/5 BC846BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-NPN, 65В, 100мА [SOT-363 / SC-88]Фото 5/5 BC846BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-NPN, 65В, 100мА [SOT-363 / SC-88]
Фото 1/5 BC846BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-NPN, 65В, 100мА [SOT-363 / SC-88]
979 шт. со склада г.Москва
6 руб.
от 100 шт.4.80 руб.
от 1000 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000616781
Артикул: BC846BDW1T1G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

BC846BDW1T1G - это двойной транзистор NPN, разработанный для усилителей общего назначения. Идеально подходит для поверхностного монтажа с низким энергопотреблением.

• Соответствует требованиям AEC-Q101
• Поддерживает PPAP
• Не содержит галогенов

Технические параметры

Структура 2 x npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,25
Корпус sot-363 / sc-88
Вес, г 0.04

Техническая документация

BC846BDW1T1G
pdf, 109 КБ
Datasheet
pdf, 232 КБ
Datasheet
pdf, 104 КБ
Datasheet
pdf, 179 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах