BC846BLT1G, Транзистор NPN 65В 0.2А 0.3Вт [SOT-23]

Артикул: BC846BLT1G
Ном. номер: 9000026979
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 BC846BLT1G, Транзистор NPN 65В 0.2А 0.3Вт [SOT-23]
Фото 2/4 BC846BLT1G, Транзистор NPN 65В 0.2А 0.3Вт [SOT-23]Фото 3/4 BC846BLT1G, Транзистор NPN 65В 0.2А 0.3Вт [SOT-23]Фото 4/4 BC846BLT1G, Транзистор NPN 65В 0.2А 0.3Вт [SOT-23]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
2 руб. × = 2 руб.
от 100 шт. — 1 руб.
от 1000 шт. — 0.90 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BC846BLT1G is a 65V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications, ESD protection, polarity reversal protection, data line protection, inductive load protection and steering logic.

• Halogen-free/BFR-free
• ESD rating - >4000V human body model, >400V machine model
• 80V Collector to base voltage (VCBO)
• 6V Emitter to base voltage (VEBO)
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Дополнительная информация

Datasheet BC846BLT1G
Datasheet BC846BLT1G